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EDI設(shè)備的化學(xué)清洗及再生
雖然EDI膜塊的進(jìn)水條件在很大的程度上減少了膜塊內(nèi)部阻塞的機(jī)會,但是隨著設(shè)備運行時間的延展,EDI膜塊內(nèi)部水道還是有可能產(chǎn)生阻塞,這主要是EDI進(jìn)水中含有較多的溶質(zhì),在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進(jìn)水中含有大量的鈣鎂離子(硬度超過0.8ppm)、CO2 和較高的 pH 值,將會加快沉淀的速度。遇到這種情況,我們可以通過化學(xué)清洗的方法對EDI膜塊進(jìn)行清洗,使之恢復(fù)到原來的技術(shù)特性。
通常判斷 EDI 膜塊被污染堵塞可以從以下幾個方面進(jìn)行評估判定:
1、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下,進(jìn)水側(cè)與產(chǎn)水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高 45%。
2、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下,濃水進(jìn)水側(cè)與濃水排水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。
3、在進(jìn)水溫度、流量及電導(dǎo)率不變的情況下,產(chǎn)水水質(zhì)(電阻率)明顯下降。
4、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下,濃水排水流量下降35%。
膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式:顆粒/膠體污堵;無機(jī)物污堵;有機(jī)物污堵;微生物污堵。(EDI 清洗注意:在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學(xué)藥劑并熟悉安全操作規(guī)程,切不可在組件電源沒有切斷的狀態(tài)下進(jìn)行化學(xué)清洗。)詳細(xì)如下:
1、顆粒/膠體污堵
進(jìn)水顆粒度≥5μm 時會造成進(jìn)水流道堵塞,引起膜塊內(nèi)部水流分布不均勻,從而導(dǎo)致 膜塊整體性能降低。如果EDI膜塊的進(jìn)水不是直接由 RO 產(chǎn)水端進(jìn)入 EDI 膜塊,而是通過RO產(chǎn)水箱經(jīng)過增壓泵供水,建議在進(jìn)入EDI膜塊前端增設(shè)保安過濾器(≤0.2μm)。 在組裝EDI設(shè)備時,所有的連接管道系統(tǒng)應(yīng)沖洗干凈以預(yù)防管道內(nèi)的顆粒雜質(zhì)進(jìn)入膜塊。
2、無機(jī)物污堵
如果 EDI 進(jìn)水含有較多的溶質(zhì)且超出設(shè)計值或者回收率超過設(shè)計值時,將導(dǎo)致濃水室和陰極室的結(jié)垢,生成鹽類物質(zhì)析出沉淀,通常結(jié)垢的類型為鈣、鎂離子生成的碳酸鹽。即便這類物質(zhì)的濃度很小,接觸時間也很短,但隨著運行時間的累加,仍有發(fā)生結(jié)垢的可能,這種硬度結(jié)垢很容易通過酸洗去除。按照方案1中的方法,使用低PH溶液在系統(tǒng)內(nèi)部循環(huán)清洗,可以去除濃水室和陰極室的結(jié)垢。
當(dāng)進(jìn)水中的鐵和錳含量高,或者高TDS的水以外進(jìn)入到EDI膜塊時,也會使淡水室的離子交換樹脂或者濃水室形成無幾物污堵??梢圆捎梅桨?/span>2進(jìn)行清洗。
3、有機(jī)物污堵
當(dāng)進(jìn)水有機(jī)污染物TOC或TEA含量超過設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)時,淡水室的離子交換樹脂和離子膜會發(fā)生有機(jī)污堵??梢圆捎梅桨?/span>3的方法,用高PH值的藥水對淡水室及濃水室循環(huán)清洗可以將有機(jī)分子清除出離子交換樹脂對這種污堵進(jìn)行清洗。
4、微生物污堵
當(dāng)設(shè)備運行環(huán)境適于微生物生長,或者進(jìn)水中存在較多的細(xì)菌和藻類的時候,EDI膜塊和系統(tǒng)也會發(fā)生微生物污堵??梢圆捎梅桨?/span>3、4中的方法用高PH鹽水進(jìn)行清洗。如果微生物污堵情形比較嚴(yán)重時,可以采用方案5進(jìn)行清洗。如果同時伴有無機(jī)物污堵, 可以按照方案6加入酸洗步驟。
對于極嚴(yán)重的微生物污堵,可以采用方案7或8以高PH 藥劑清洗。
清洗方法時間:
清洗方法 |
時間(分鐘) |
備注 |
酸洗 |
30-50 |
|
堿洗 |
30-50 |
|
鹽水清洗 |
35-60 |
|
消毒 |
25-40 |
|
沖洗 |
≥50 |
|
再生 |
≥120 |
|
單個膜塊清洗藥液配用量:
膜塊產(chǎn)水量 |
藥液配用量(L) |
備注 |
0.5T/H |
50 |
1、酸洗溫度 15-25℃ 2、堿洗溫度 25-30℃ 3、配藥液用水必須是RO產(chǎn)水或高于RO產(chǎn)水的去離子水 |
1T/H |
80 |
|
2T/H |
110 |
|
3T/H |
150 |
|
5T/H |
200 |
清洗用化學(xué)藥品規(guī)格:
藥品名稱 |
推薦等級 |
備注 |
鹽酸HCL |
化學(xué)純或試劑級 |
|
氫氧化鈉NaOH |
化學(xué)純或試劑級 |
液態(tài):50%w/w |
氯化鈉NaCL |
食品級、化學(xué)純或試劑級 |
食品級≥99.8% |
過氧化氫H2O2 |
化學(xué)純 |
30% |
過氧乙酸CH3COOOH |
化學(xué)純 |
|
安全注意事項:
1、在配置清洗藥液時,必須穿戴好防護(hù)服、防護(hù)眼鏡和防護(hù)手套。
2、需要清洗的設(shè)備管路必須是與其他連接設(shè)備的連接管路完全隔離的。
3、需要清洗的設(shè)備其電源必須是完全切斷并有“正在操作,不得送電”的安全警示。
4、整個清洗過程中清洗的工作壓力不能超過 0.15MPa。
清洗設(shè)備組件
1、清洗循環(huán)泵(耐腐蝕泵)
2、清洗水箱(PP)
3、耐腐蝕清洗軟管(與清洗泵適配)
4、耐腐蝕閥門(UPVC)
5、耐腐蝕壓力表
6、過濾器(≤1μm)
工具:pH 試紙(廣泛);溫度計;計時表
一、濃水室結(jié)垢清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過濃水管路進(jìn)入EDI膜塊再回到清洗水箱,濃水進(jìn)、出水閥開啟,關(guān)閉EDI淡水進(jìn)水閥和產(chǎn)水閥。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、打開EDI進(jìn)水閥和產(chǎn)水閥,同時對兩個水室進(jìn)行沖洗。
9、檢測濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
10、各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
11、恢復(fù) EDI 各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
12、開啟 PLC 控制柜電源,向 EDI 膜塊送電,轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
二、淡水室結(jié)垢清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路分別進(jìn)入EDI膜塊的淡水室和濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
10、停機(jī),恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
11、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進(jìn)行再生(再生步驟),直至電阻率達(dá)到出水要求為止。
12、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
三、有機(jī)物污堵清洗
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路分別進(jìn)入EDI膜塊的淡水室和濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
4、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH) 2%鹽(NaCl)的清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
10、停機(jī),恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
11、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進(jìn)行再生(再生步驟),直至電阻率達(dá)到出水要求為止。
12、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
四、有機(jī)物污堵和結(jié)垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路分別進(jìn)入EDI膜塊的淡水室和濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH) 2%鹽(NaCl)的清洗液。
10、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
15、停機(jī),恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
16、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進(jìn)行再生(再生步驟),直至電阻率達(dá)到出水要求為止。
17、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
微生物污堵可采用方案 3 進(jìn)行;微生物污堵和結(jié)垢可采用方案 4 進(jìn)行。
五、嚴(yán)重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路進(jìn)入EDI膜塊的淡水室、 濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
5、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置 0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗液。
10、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置 2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
15、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
20、停機(jī),恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
21、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進(jìn)行再生(再生步驟),直至電阻率達(dá)到出水要求為止。
22、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
六、嚴(yán)重的微生物污堵和結(jié)垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路進(jìn)入EDI膜塊的淡水室、濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見附表)
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
10、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。(參見附表)
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗液。
15、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
20、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。
21、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
23、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
24、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
25、停機(jī),恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
26、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進(jìn)行再生(再生步驟),直至電阻率達(dá)到出水要求為止。
27、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
七、極嚴(yán)重的微生物污堵
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路進(jìn)入EDI膜塊的淡水室、濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
5、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗液。
10、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH) 2%鹽(NaCl)的清洗液。
15、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
20、停機(jī),恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
21、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進(jìn)行再生(再生步驟),直至電阻率達(dá)到出水要求為止。
22、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
八、極嚴(yán)重的微生物污堵和結(jié)垢
1、記錄清洗前所有數(shù)據(jù)。
2、分離EDI設(shè)備與其他設(shè)備的連接管路
3、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路進(jìn)入EDI膜塊的淡水室、濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
4、在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液。
5、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水、進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。
6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
7、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
8、分別檢測淡水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
9、在清洗水箱配置2%濃度的鹽(NaCl)清洗液。
10、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(鹽洗步驟)。
11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
12、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
13、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
14、在清洗水箱配置0.04%濃度的過氧乙酸(CH3COOOH) 0.2%的過氧化氫(H2O2)清洗液。
15、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(消毒步驟)。
16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝。
17、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
18、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
19、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH) 2%鹽(NaCl)的清洗液。
20、啟動清洗泵,調(diào)節(jié)淡水、濃水進(jìn)水閥,以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(堿洗步驟)。
21、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離產(chǎn)水、濃水排水閥至地溝。
22、向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水),啟動清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)。
23、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
24、調(diào)節(jié)各個閥門,恢復(fù)原始各設(shè)計流量數(shù)據(jù)。
25、停機(jī),恢復(fù)EDI各個管路與其他系統(tǒng)的連接。
26、開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,進(jìn)行再生(再生步驟),直至電阻率達(dá)到出水要求為止。
27、轉(zhuǎn)入正常運行,并作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。
1、連接清洗裝置,使清洗泵通過進(jìn)水管路分別進(jìn)入EDI膜塊的淡水室和濃水室,再回到清洗水箱,開啟所有的進(jìn)出水閥門。
3、在清洗水箱配置1%濃度的氫氧化鈉(NaOH) 5%鹽(NaCl)的清洗液。
4、啟動清洗泵,分別調(diào)節(jié)濃水300L、淡水3000L流量循環(huán)清洗30分鐘。
5、接入RO反滲透純水,清洗50分鐘。
6、分別檢測產(chǎn)水、濃水出水側(cè)的水質(zhì),直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近。
7、調(diào)節(jié)各個閥門,淡水水量3000L,濃水水量300L
8、電流調(diào)至2A運行12小時以上。
9、作好初次運行的數(shù)據(jù)記錄。